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局部放電產(chǎn)生的原因
點(diǎn)擊次數:2020 更新時(shí)間:2017-12-13

GIS局部放電的研究

1.2 局部放電產(chǎn)生的原因

GIS中有可能出現的主要絕緣缺陷如圖所示,可以總結為以下幾個(gè)方面。

 

GIS中幾種缺陷示意圖

 

(1)固定缺陷:不僅包括了位于外殼表面和導體之上的金屬突起,還包括了在固體絕緣的一些微粒,對前者來(lái)說(shuō),它主要是在制作過(guò)程、安裝過(guò)程中產(chǎn)生,由于制造不良或擦劃導致的較為尖銳的毛刺。如果工頻狀態(tài)是較為穩定的,那么這些缺陷不會(huì )發(fā)生擊穿現象,不過(guò),如果是諸如快速暫態(tài)過(guò)電壓和沖擊等快速電壓的情況,那么極有可能會(huì )發(fā)生擊穿現象;

 

(2)位于GIS腔體內,并且能夠進(jìn)行自由移動(dòng)的金屬微粒,GIS在制造和裝配以及運行過(guò)程中都會(huì )產(chǎn)生一定的金屬微粒,這是非常常見(jiàn)的,這些微粒能夠對電荷進(jìn)行一定的積累。如果所處的電壓場(chǎng)是交流的,那么這些微粒就能夠產(chǎn)生移動(dòng),不過(guò)無(wú)論是移動(dòng)過(guò)程,還是放電過(guò)程,都是隨機發(fā)生的。這些微粒zui可能發(fā)生放電的情況就是在它們十分靠近高壓導體,不過(guò)并沒(méi)有發(fā)生接觸,和導體上固定的微粒相比,這種放電的可能性要高出至少10倍;

 

(3)傳導部分出現了不良的接觸,諸如浮動(dòng)部件,或者是靜電屏蔽等問(wèn)題,對于那些浮動(dòng)或者松動(dòng)的部件來(lái)說(shuō),它們極有可能會(huì )發(fā)生放電現象,其檢測起來(lái)相對比較容易,并且會(huì )出現反復的放電;

 

(4)在生產(chǎn)和制造過(guò)程中,絕緣子出現了內部空隙或者表面的痕跡,后者是由于實(shí)驗閃絡(luò )所導致的,也包括了電極表面所存在的粗糙,以及嵌入的一些金屬微粒,不僅如此,由于對金屬電極和環(huán)氧樹(shù)脂具有不同的收縮系數,所以也會(huì )產(chǎn)生一定的空隙和氣泡。

 

以上所說(shuō)的GIS的絕緣體所存在的缺陷,極有可能會(huì )發(fā)生局部放電,如果發(fā)生了這種局部放電,那么絕緣材料會(huì )被腐蝕,甚至會(huì )變成電樹(shù)枝,zui終會(huì )使整個(gè)絕緣體被擊穿。

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